MMUN2111LT1G 与 DTA114ECAHZGT116 区别
| 型号 | MMUN2111LT1G | DTA114ECAHZGT116 | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-MMUN2111LT1G | A32-DTA114ECAHZGT116-1 | ||||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||||||
| 描述 | MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm PNP Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23 | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| R2 | 10k Ohms | 10K Ohms | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 246mW | 200mW | ||||||||||||||||
| 特征频率fT | - | 250MHz | ||||||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 250mV | -300mV | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||||||||||||||
| VCBO | -50V | - | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||||||||
| 集电极电流Ic | -100mA | -50mA | ||||||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | -50V | -50V | ||||||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 35 | 30 | ||||||||||||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||||||||||||
| R1 | 10k Ohms | 10K Ohms | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 9,192 | 15,300 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 7 - 14天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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MMUN2111LT1G | ON Semiconductor | BJT三极管 |
SOT-23 246mW -50V -100mA PNP |
￥0.2055
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9,192 | 当前型号 | |||||||||||||
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DTA114EKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -50mA PNP |
￥0.7654
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384,289 | 对比 | ||||||||||||
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DTA114ECAHZGT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 200mW -50V -50mA 车规 PNP |
￥0.7126
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15,300 | 对比 | ||||||||||||
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DTA124EKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -30mA PNP |
暂无价格 | 15,200 | 对比 | ||||||||||||
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DTA114EKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -50mA PNP |
￥0.0942
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15,000 | 对比 | ||||||||||||
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DTA143EKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -100mA PNP |
暂无价格 | 14,440 | 对比 |
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