NJVMJD45H11T4G 与 MJD45H11AJ 区别
| 型号 | NJVMJD45H11T4G | MJD45H11AJ | ||||
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| 唯样编号 | A36-NJVMJD45H11T4G-1 | A-MJD45H11AJ | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Nexperia | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 未分类 | BJT三极管 | ||||
| 描述 | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 80 V 8 A 90MHz 1.75 W 表面贴装型 DPAK | MJD45H11A/SOT428/DPAK | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 1.75W | ||||
| 特征频率fT | - | 80MHz | ||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | -1V | ||||
| 封装/外壳 | DDPAK-3 | TO-252 | ||||
| 工作温度 | - | -65°C~150°C | ||||
| VEBO | - | -6V | ||||
| 尺寸 | - | 6.1*6.6*2.3 | ||||
| 集电极连续电流 | - | -8A | ||||
| 直流电流增益hFE | - | 60 | ||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | - | -80V | ||||
| 晶体管类型 | - | PNP | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 4,651 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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NJVMJD45H11T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
￥2.0691
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4,651 | 当前型号 | |||||||
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MJD45H11J | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-252 1.75W -80V -8A -1V 60 80MHz PNP |
暂无价格 | 726 | 对比 | ||||||
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MJD45H11AJ | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
TO-252 1.75W -80V -8A -1V 60 80MHz 车规 PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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