NTD3055-150T4G 与 SIHLR024TR-GE3 区别
| 型号 | NTD3055-150T4G | SIHLR024TR-GE3 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-NTD3055-150T4G | A3t-SIHLR024TR-GE3 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 未分类 | 未分类 | ||||||||
| 描述 | Vishay Si N沟道 MOSFET SIHLR024TR-GE3, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率 | 1.5W(Ta),28.8W(Tj) | 42W | ||||||||
| 宽度 | - | 6.22mm | ||||||||
| 引脚数目 | - | 3 | ||||||||
| 最小栅阈值电压 | - | 1V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | -10 V、+10 V | ||||||||
| 封装/外壳 | DPAK | 6.73*6.22*2.38mm | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 9A | 14 A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - | ||||||||
| 长度 | - | 6.73mm | ||||||||
| 最低工作温度 | - | -55 °C | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms | ||||||||
| 最高工作温度 | - | +150 °C | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 150 毫欧 @ 4.5A,10V | 140 m0hms | ||||||||
| 高度 | - | 2.38mm | ||||||||
| 类别 | - | 功率 MOSFET | ||||||||
| 典型关断延迟时间 | - | 23 ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 870 pF@ 25 V | ||||||||
| 晶体管材料 | - | Si | ||||||||
| 晶体管配置 | - | 单 | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | 增强 | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 280pF @ 25V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 10V | - | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 11 ns | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 5,000 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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NTD3055-150T4G | ON Semiconductor | 未分类 |
￥2.899
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5,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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SIHLR024TR-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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