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NTR5198NLT1G  与  IRLML0060TRPBF  区别

型号 NTR5198NLT1G IRLML0060TRPBF
唯样编号 A36-NTR5198NLT1G A-IRLML0060TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 60 V 1.7A(Ta) 900mW(Ta) SOT-23-3(TO-236) Single N-Channel 60 V 116 mOhm 2.5 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 92mΩ@2.7A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 1.25W(Ta)
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2.7A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.5nC @ 4.5V
库存与单价
库存 8,992 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7513
200+ :  ¥0.6123
1,500+ :  ¥0.5564
3,000+ :  ¥0.52
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR5198NLT1G ON Semiconductor  数据手册 未分类

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
3,000: ¥0.52
8,992 当前型号
SI2310-TP MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.4186 

阶梯数 价格
120: ¥0.4186
200: ¥0.2704
3,000: ¥0.24
106,913 对比
AO3422 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 55V ±12V 2.1A 1.25W 160mΩ@2.1A,4.5V -55°C~150°C

¥0.7689 

阶梯数 价格
70: ¥0.7689
200: ¥0.6279
1,500: ¥0.5694
3,000: ¥0.533
33,690 对比
SI2310-TP MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 3,000 对比
AO3422 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 N-Channel 55V ±12V 2.1A 1.25W 160mΩ@2.1A,4.5V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IRLML0060TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 92mΩ@2.7A,10V N-Channel 60V 2.7A SOT-23

暂无价格 0 对比

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