首页 > 商品目录 > > > PDTC143XT,215代替型号比较

PDTC143XT,215  与  DTC143ZET1G  区别

型号 PDTC143XT,215 DTC143ZET1G
唯样编号 A36-PDTC143XT,215-1 A36-DTC143ZET1G
制造商 Nexperia ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 PDTC143X Series 20 V 100 mA Surface Mount NPN Digital Transistor - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
电流 - 集电极截止(最大值) - 500nA
功率 - 1/5W
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) - 80 @ 5mA,10V
产品特性 车规 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) - 250mV @ 1mA,10mA
电压 - 集射极击穿(最大值) - 50V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 100mA
封装/外壳 SOT-23 SOT-416
VCBO 50V -
工作温度 -65°C~150°C -
VEBO 7V -
Power-Max - 200mW
晶体管类型 NPN -
功率耗散Pd 250mW -
特征频率fT 230MHz -
电阻器-基底(R1)(欧姆) - 4.7k
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) - 47K Ohms
集电极-射极饱和电压 100mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 1mA,10mA
FET类型 - NPN
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 80 @ 5mA,10V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) - 4.7k
集电极电流Ic 100mA -
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
尺寸 2.9*1.3*1 -
集电极最大允许电流Ic - 100mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) - 47K Ohms
集电极-发射极Vceo 50V -
直流电流增益hFE 50 -
库存与单价
库存 1 6,747
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6768
200+ :  ¥0.4732
1,500+ :  ¥0.4108
3,000+ :  ¥0.364
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PDTC143XT,215 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 250mW 50V 100mA 车规 NPN

暂无价格 1 当前型号
MMUN2232LT1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-23 带阻/预偏置

¥0.654 

阶梯数 价格
80: ¥0.654
200: ¥0.273
1,500: ¥0.1695
3,000: ¥0.1349
62,221 对比
DTC143ZKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 100mA NPN

¥0.222 

阶梯数 价格
230: ¥0.222
1,500: ¥0.1383
3,000: ¥0.1098
46,267 对比
DTC143ZKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 100mA NPN

¥0.9265 

阶梯数 价格
100: ¥0.9265
500: ¥0.8551
1,000: ¥0.7839
3,000: ¥0.6415
15,000: ¥0.5896
23,970 对比
DTC143XKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 100mA NPN

¥0.3841 

阶梯数 价格
140: ¥0.3841
200: ¥0.2877
1,500: ¥0.2499
3,000: ¥0.2205
11,727 对比
DTC143ZET1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-416

¥0.6768 

阶梯数 价格
80: ¥0.6768
200: ¥0.4732
1,500: ¥0.4108
3,000: ¥0.364
6,747 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>
在
线
销
售

在线销售