PUMD10,115 与 DCX123JU-7-F 区别
| 型号 | PUMD10,115 | DCX123JU-7-F | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-PUMD10,115 | A36-DCX123JU-7-F | ||||||||
| 制造商 | Nexperia | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | PUMD10 Series 5/12 V 100 mA Surface Mount NPN/PNP Digital Transistor - SOT-363 | DCX123JU Series NPN/PNP 50 V 100 A Dual Transistor Surface Mount - SOT-363-6 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| R2 | - | 47k Ohms | ||||||||
| 功率耗散Pd | 300mW | 200mW | ||||||||
| 特征频率fT | 230MHz | 250MHz | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 100mV | 300mV | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||||
| VCBO | 50V | - | ||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| VEBO | 5V | - | ||||||||
| 尺寸 | 2.1*1.25*0.95 | - | ||||||||
| 集电极连续电流 | 100mA | 100mA | ||||||||
| 直流电流增益hFE | 100 | 80 | ||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 50V | 50V | ||||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN+PNP | ||||||||
| R1 | - | 2.2k Ohms | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,755 | 135 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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PUMD10,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V 100mA 100mV 100 230MHz NPN+PNP |
￥0.5759
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2,755 | 当前型号 | ||||||||
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UMH10NFHATN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA 300mV 80 250MHz 车规 NPN |
￥0.5952
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639 | 对比 | ||||||||
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DCX123JU-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW 50V 100mA 300mV 80 250MHz NPN+PNP |
￥0.5109
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135 | 对比 | ||||||||
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UMD25NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 300mV,-300mV 80,80 250MHz,250MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 76 | 对比 | ||||||||
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UMH10NFHATN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V 100mA 300mV 80 250MHz 车规 NPN |
￥1.1145
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34 | 对比 | ||||||||
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MUN5335DW1T1G | ON Semiconductor | 达林顿晶体管 | 暂无价格 | 4 | 对比 |
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