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RTR040N03TL  与  AO3424  区别

型号 RTR040N03TL AO3424
唯样编号 A36-RTR040N03TL A-AO3424
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 RTR020N05 Series N-Channel 30 V 48 mOhm 1 W Surface Mount Mosfet - TSMT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 18
宽度 1.60mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 48mΩ 55mΩ@3.8A,10V
上升时间 18ns -
Rds On(Max)@4.5V - 65mΩ
Rds On(Max)@2.5V - 85mΩ
Qgd(nC) - 1.6
栅极电压Vgs 12V ±12V
Td(on)(ns) - 3.5
封装/外壳 TSMT SOT23-3
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 4A 3.8A
配置 Single -
Ciss(pF) - 235
长度 2.9mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
下降时间 19ns -
高度 0.85mm -
Trr(ns) - 8.5
Td(off)(ns) - 17.5
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1W 1.4W
Qrr(nC) - 2.6
VGS(th) - 1.5
典型关闭延迟时间 37ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 RTR040N03 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 475pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 10ns -
Coss(pF) - 35
Qg*(nC) - 4.7
库存与单价
库存 1 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel

暂无价格 1 当前型号
IRLML6344TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 29mΩ@5A,4.5V N-Channel 30V 5A SOT-23

暂无价格 3,048 对比
FDN335N ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 3,000 对比
IRLML0030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 27mΩ@5.2A,10V N-Channel 30V 5.3A Micro3™/SOT-23

暂无价格 3,000 对比
AO3400A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V 12V 5.7A 1.4W 26.5mΩ@10V

¥2.069 

阶梯数 价格
1: ¥2.069
100: ¥1.5
1,000: ¥1.1111
1,500: ¥0.8333
3,000: ¥0.6
83 对比
FDN337N ON Semiconductor 通用MOSFET

±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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