SI1029X-T1-GE3 与 DMG1029SV-7 区别
| 型号 | SI1029X-T1-GE3 | DMG1029SV-7 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-SI1029X-T1-GE3 | A36-DMG1029SV-7-1 | ||||||||||||||
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | Dual N & P Channel 60 V 1.4 / 4 Ohm Surface Mount Mosfet - SC-89-6 | MOSFET N/P-CH 60V SOT563 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-563 | SOT-563 | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 305mA,190mA | 500mA,360mA | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.4 Ohms @ 500mA,10V | - | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 250mW | - | ||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 1.7Ω@500mA,10V | ||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 30pF @ 25V | ||||||||||||||
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - | ||||||||||||||
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel | ||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 0.3nC @ 4.5V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 15,021 | 6,319 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
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