SI2323CDS-T1-GE3 与 DMP2100UQ-7 区别
| 型号 | SI2323CDS-T1-GE3 | DMP2100UQ-7 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI2323CDS-T1-GE3 | A36-DMP2100UQ-7 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||||
| 描述 | P-Channel 20 V 0.039 Ohm 2.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3 | MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R | ||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||||||||||||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 800mW(Ta) | ||||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 38mΩ@3.5A,10V | ||||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 216 pF @ 15 V | ||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±10V | ||||||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 9.1 nC @ 4.5 V | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-236 | SOT-23-3 | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4.3A(Ta) | ||||||||||||||||||
| 驱动电压 | - | 1.8V,10V | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 17,970 | 10,899 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||
| 单价(含税) |
|
|
||||||||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI2323CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-236 P-Channel |
¥1.738
|
17,970 | 当前型号 | ||||||||||||
|
PMV65XP,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 P-Channel 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A |
暂无价格 | 378 | 对比 |