SI4202DY-T1-GE3 与 DMN3015LSD-13 区别
| 型号 | SI4202DY-T1-GE3 | DMN3015LSD-13 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-SI4202DY-T1-GE3 | A36-DMN3015LSD-13 | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Dual N-Channel 20 V 14 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8 | MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14 mOhms @ 8A,10V | 15mΩ@12A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.7W | 1.2W | ||||||||||
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - | ||||||||||
| FET类型 | 2N-Channel | 2N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 12.1A | 8.4A | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 系列 | - | DMN3015 | ||||||||||
| 通道数量 | - | 2Channel | ||||||||||
| 配置 | - | Dual | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1415pF @ 15V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25.1nC @ 10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 211 | 1,969 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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SI4202DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
12.1A 2N-Channel 14 mOhms @ 8A,10V 3.7W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥3.432
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211 | 当前型号 | ||||||
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DMG4800LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
16mΩ@9A,10V 1.17W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 30V 7.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
15mΩ@12A,10V 1.2W -55°C~150°C(TJ) SO 30V 8.4A 2N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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AO4832 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 10A 2W 13mΩ@10A,10V -55°C~150°C |
￥1.3999
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0 | 对比 |
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