SIR606BDP-T1-RE3 与 RS6P060BHTB1 区别
| 型号 | SIR606BDP-T1-RE3 | RS6P060BHTB1 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-SIR606BDP-T1-RE3 | A3-RS6P060BHTB1 | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | PowerPAKSO-8 | HSOP8 (Single) | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 73W | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 60A | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 10.6mΩ@60A,10V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,990 | 100 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SIR606BDP-T1-RE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
PowerPAKSO-8 |
￥6.666
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2,990 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
￥17.815
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥25.1547
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
￥10.8952
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2,469 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥15.8589
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1,960 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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