STB24N60M2 与 SIHB22N60E-GE3 区别
| 型号 | STB24N60M2 | SIHB22N60E-GE3 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STB24N60M2 | A3t-SIHB22N60E-GE3 | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | N-Channel 600 V 0.19 Ohm 29 nC Surface Mount Mosfet - TO-263 (D2PAK) | E-Series N-Channel 600 V 227 W 0.18 O 86 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 180mΩ@11A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 227W(Tc) | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±30V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | D2PAK | D2PAK | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 21A | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1920pF @ 100V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 86nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 676 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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STB24N60M2 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
D2PAK |
￥8.503
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676 | 当前型号 | ||||||
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AOB20S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO263 266W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SIHB22N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 227W(Tc) 180mΩ@11A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK N-Channel 600V 21A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SIHB22N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 227W(Tc) 180mΩ@11A,10V -55°C~150°C(TJ) D2PAK N-Channel 600V 21A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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