STB80NF10T4 与 IRF3710STRRPBF 区别
| 型号 | STB80NF10T4 | IRF3710STRRPBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STB80NF10T4 | A-IRF3710STRRPBF | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 200W(Tc) | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TO-263-3 | D2PAK | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 57A | ||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3130pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3130pF @ 25V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 23mΩ@28A,10V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 935 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥9.526
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935 | 当前型号 | ||||||
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IRFS4310ZTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A D2PAK |
暂无价格 | 800 | 对比 | ||||||
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BUK7610-100B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 10mΩ@10V 300W 175°C 3V 100V 110A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
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PHB45NQ10T,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 25mΩ@10V 150W 175°C 3V 100V 47A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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PSMN016-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 16mΩ@10V 148W 175°C 3V 100V 57A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
IRF3710STRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 23mΩ@28A,10V N-Channel 100V 57A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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