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STGW80H65DFB  与  IRGP4266DPBF  区别

型号 STGW80H65DFB IRGP4266DPBF
唯样编号 A36-STGW80H65DFB A-IRGP4266DPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 HB Series 650 V 80 A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247 Infineon IRGP4266DPBF N沟道 IGBT, 140 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AC封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 455W
宽度 - 5.31mm
脉冲电流 - 集电极 (Icm) - 300A
额定能量 - 6.4mJ
引脚数目 - 3
最大连续集电极电流 - 140 A
电压 - 集射极击穿(最大值) - 650V
栅极电压Vgs - ±20V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 140A
封装/外壳 TO-247S 15.87*5.31*20.7mm
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 2.1V @ 15V,75A
工作温度 - -40°C ~ 175°C(TJ)
开关能量 - 2.5mJ(开),2.2mJ(关)
长度 - 15.87mm
最大集电极-发射极电压 - 650 V
测试条件 - 400V,75A,10 欧姆,15V
栅极电容 - 4430pF
高度 - 20.7mm
反向恢复时间(trr) - 170ns
输入类型 - 标准
开关速度 - 1MHz
晶体管配置 -
FET类型 - N-Channel
25°C 时 Td(开/关)值 - 50ns/200ns
库存与单价
库存 13 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
3+ :  ¥24.497
10+ :  ¥21.131
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STGW80H65DFB STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247S

¥24.497 

阶梯数 价格
3: ¥24.497
10: ¥21.131
13 当前型号
IRGP4066DPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

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IRGP4266DPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-40°C ~ 175°C(TJ) 455W 15.87*5.31*20.7mm

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-55°C ~ 175°C(TJ) 454W 15.87*5.13*20.7mm

暂无价格 0 对比

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