STGWA40H120DF2 与 IRG4PH40UDPBF 区别
| 型号 | STGWA40H120DF2 | IRG4PH40UDPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STGWA40H120DF2 | A-IRG4PH40UDPBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | IGBT晶体管 | IGBT晶体管 |
| 描述 | IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 468 W 通孔 TO-247-3 | IRG4PH40UDP Series 1200 V 12 A Insulated Gate Bipolar Transistor - TO-247AC |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 25°C时Td（开/关）值 | - | 46ns/97ns |
| 电流-集电极（Ic）（最大值） | - | 41A |
| 功率 | - | 160W |
| 脉冲电流 - 集电极 (Icm) | - | 82A |
| 反向恢复时间（trr） | - | 63ns |
| 输入类型 | - | 标准 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | - | 1200V |
| 脉冲电流-集电极(Icm) | - | 82A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | - | 1200V |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | - | 41A |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247AC |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | - | 3.1V @ 15V,21A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 开关能量 | - | 1.8mJ(开),1.93mJ(关) |
| 不同 Vge，Ic时的 Vce（on） | - | 3.1V @ 15V,21A |
| 测试条件 | - | 800V,21A,10 欧姆,15V |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | - | 46ns/97ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STGWA40H120DF2 | STMicro | 数据手册 | IGBT晶体管 |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IKW15N120H3 | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
217W -40°C~175°C(TJ) PG-TO247-3 |
暂无价格 | 225 | 对比 |
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IKW15N120T2 | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
235W -40°C~175°C(TJ) PG-TO247-3 |
暂无价格 | 38 | 对比 |
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IGW25T120 | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
190W PG-TO-247-3 -40°C~150°C |
暂无价格 | 10 | 对比 |
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IGW60T120 | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
375W PG-TO-247-3 -40°C~150°C |
暂无价格 | 2 | 对比 |
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IRG4PH40UDPBF | Infineon | 数据手册 | IGBT晶体管 |
-55°C~150°C(TJ) 160W TO-247AC |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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