| 型号 | UMZ1NTR | FMY4AT148 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-UMZ1NTR | A33-FMY4AT148 | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||
| 描述 | UMZ1N Series 50 V 150 mA SMT NPN/PNP General Purpose Dual Transistor - SC-88 | FMY4A Series 50 V 150 mA SMT NPN/PNP Power Management Dual Transistor - SC-74A | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 150mW | - | ||||
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 100nA(ICBO) | ||||
| 电流-集电极（Ic）（最大值） | - | 150mA | ||||
| 功率 | - | 3/10W | ||||
| 特征频率fT | 180MHz,140MHz | - | ||||
| 集电极-射极饱和电压 | 400mV,-500mV | - | ||||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA | ||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SMT | ||||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 120 @ 1mA,6V | ||||
| VCBO | 60V,-60V | - | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||
| 集电极电流Ic | 150mA,-150mA | - | ||||
| 频率-跃迁 | - | 180MHz,140MHz | ||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 50V | ||||
| VEBO | 7V,-6V | - | ||||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 0.15A | ||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V,-50V | - | ||||
| 直流电流增益hFE | 120,120 | - | ||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN+PNP | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 2,888 | 100 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 28 - 35天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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UMZ1NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 150mA,-150mA NPN+PNP |
￥0.4589
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2,888 | 当前型号 | ||||||||||||
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BC847PN-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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BC847BPDW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 0.38W 45V,-45V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥0.5603
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429 | 对比 | ||||||||||||
|
BC847BPN,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 45V 100mA NPN+PNP |
￥1.0634
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219 | 对比 | ||||||||||||
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FMY4AT148 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SMT NPN+PNP |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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BC847PN-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 |
暂无价格 | 82 | 对比 |
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