ZXM61P03FTA 与 IRLML5103TRPBF 区别
| 型号 | ZXM61P03FTA | IRLML5103TRPBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-ZXM61P03FTA | A-IRLML5103TRPBF | ||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | ZXM61P03F 30 V 0.35 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23 | Single P-Channel 30 V 1 Ohm 5.1 nC 540 W Generation V SMT Mosfet - SOT-23 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 540mW(Ta) | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | Micro3™/SOT-23 | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 0.76A | ||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 75pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.1nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 75pF @ 25V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 600mΩ@600mA,10V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.1nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 1,439 | 3,000 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXM61P03FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
￥1.2532
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1,439 | 当前型号 | ||||||
|
IRLML5103TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 600mΩ@600mA,10V P-Channel 30V 0.76A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||
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IRLML5203TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 98mΩ@3A,10V P-Channel 30V 3A SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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