ZXMD63N03XTA 与 IRF7503TRPBF 区别
| 型号 | ZXMD63N03XTA | IRF7503TRPBF | ||||
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| 唯样编号 | A36-ZXMD63N03XTA | A-IRF7503TRPBF | ||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP | Double HexFet 30 V 1.25 W 12 nC Silicon Surface Mount Mosfet - MICRO-8 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 1.25W | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | MSOP-8 | Micro8™ | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 2.4A | ||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 210pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 12nC @ 10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 210pF @ 25V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 135mΩ@1.7A,10V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 12nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 342 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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ZXMD63N03XTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
MSOP-8 |
￥2.184
|
342 | 当前型号 | ||||||
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IRF7503TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 135mΩ@1.7A,10V 1.25W N-Channel 30V 2.4A Micro8™ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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