BSS84,215 与 TP0610K-T1-GE3 区别
| 型号 | BSS84,215 | TP0610K-T1-GE3 | ||||
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| 唯样编号 | A3t-BSS84,215-1 | A36-TP0610K-T1-GE3-2 | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 未分类 | 小信号MOSFET | ||||
| 描述 | ||||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 350mW | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 1.7nC | ||||
| 栅极电压Vgs | - | 1V | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 35ns | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 80mS | ||||
| 封装/外壳 | - | SOT-23-3 | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 185mA | ||||
| 系列 | - | TP0 | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 23pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 1.7nC @ 15V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 20ns | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 6Ω | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 7,863 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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BSS84,215 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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SQ2309CES-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 P-Channel 2W 370mΩ@-1.25A,-10V -55°C~175°C ±20V -60V -1.7A 车规 |
暂无价格 | 21,000 | 对比 | ||||||
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TP0610K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 185mA 350mW 6Ω 60V 1V |
￥0.3792
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7,863 | 对比 | ||||||
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TP0610K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 185mA 350mW 6Ω 60V 1V |
暂无价格 | 109 | 对比 | ||||||
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TP0610K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 185mA 350mW 6Ω 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SQ2309CES-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23 P-Channel 2W 370mΩ@-1.25A,-10V -55°C~175°C ±20V -60V -1.7A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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