FQD19N10LTF 与 SIHLR120TR-GE3 区别
| 型号 | FQD19N10LTF | SIHLR120TR-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-FQD19N10LTF | A3t-SIHLR120TR-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 未分类 |
| 描述 | Vishay Si N沟道 MOSFET SIHLR120TR-GE3, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 2.5W(Ta),50W(Tc) | 42W |
| 宽度 | - | 6.22mm |
| 引脚数目 | - | 3 |
| 最小栅阈值电压 | - | 1V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | -10 V、+10 V |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | 6.73*6.22*2.38mm |
| 连续漏极电流Id | 15.6A(Tc) | 7.7 A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 长度 | - | 6.73mm |
| 最低工作温度 | - | -55 °C |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V,10V | - |
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms |
| 最高工作温度 | - | +150 °C |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 870pF @ 25V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 100 毫欧 @ 7.8A,10V | 380 m0hms |
| 高度 | - | 2.38mm |
| 类别 | - | 功率 MOSFET |
| 典型关断延迟时间 | - | 21 ns |
| 漏源极电压Vds | 100V | 490 pF@ 25 V |
| 晶体管材料 | - | Si |
| 晶体管配置 | - | 单 |
| FET类型 | N-Channel | 增强 |
| 典型接通延迟时间 | - | 9.8 ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 18nC @ 5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FQD19N10LTF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SIHLR120TR-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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