FSAT66P5X 与 DG2012EDL-T1-GE3 区别
| 型号 | FSAT66P5X | DG2012EDL-T1-GE3 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-FSAT66P5X | A36-DG2012EDL-T1-GE3 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 未分类 | 小信号MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 开关时间（Ton, Tof）（最大值） | 4.5ns,5.5ns | - | ||||||||
| 空闲时间—最大值 | - | 30ns | ||||||||
| 电压 - 电源，单（V+） | 1.65 V ~ 5.5 V | - | ||||||||
| 沟道电容 （CS(off），CD（off）） | 6pF | - | ||||||||
| 运行时间—最大值 | - | 35ns | ||||||||
| 导通电阻—最大值 | - | 2Ohms | ||||||||
| 封装/外壳 | SC-70-5 | SC70-6 | ||||||||
| 工作温度 | -40°C~85°C(TA) | -40°C~85°C | ||||||||
| 配置 | - | 1xSPDT | ||||||||
| 电源电压-最小 | - | 1.8V | ||||||||
| 电荷注入 | 0.05pC | - | ||||||||
| 电路数 | 1 Ohms | - | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 0.25W | ||||||||
| 开关电路 | SPST - 常开 | - | ||||||||
| 开关电压—最大值 | - | 6V | ||||||||
| -3db 带宽 | 250MHz | - | ||||||||
| 开关直流 | - | 100mA | ||||||||
| 系列 | - | DG | ||||||||
| 多路复用器/解复用器电路 | 1:1 | - | ||||||||
| 导通电阻（最大值） | 15 欧姆 | - | ||||||||
| 电压 | - | 5.5V | ||||||||
| 电源电压-最大 | - | 5.5V | ||||||||
| 电流 - 漏泄（IS（off））（最大值） | 10µA | - | ||||||||
| 开关数量 | - | 1Switch | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,943 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FSAT66P5X | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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DG2012EDL-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SC70-6 0.25W -40°C~85°C |
￥6.072
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2,943 | 对比 | ||||||||||
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DG2012EDL-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SC70-6 0.25W -40°C~85°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DG2012EDL-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SC70-6 0.25W -40°C~85°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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