IRF630NSTRLPBF 与 SIHF630STRL-GE3 区别
| 型号 | IRF630NSTRLPBF | SIHF630STRL-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-IRF630NSTRLPBF-2 | A3t-SIHF630STRL-GE3 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 未分类 |
| 描述 | Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF630STRL-GE3, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 74 W |
| 宽度 | - | 9.65mm |
| 漏源极电压Vds | - | 800 pF @ 25 V |
| 晶体管材料 | - | Si |
| 晶体管配置 | - | 单 |
| 引脚数目 | - | 3 |
| 最小栅阈值电压 | - | 2V |
| 栅极电压Vgs | - | -20 V、+20 V |
| FET类型 | - | 增强 |
| 封装/外壳 | - | 10.67*9.65*4.83mm |
| 连续漏极电流Id | - | 9 A |
| 长度 | - | 10.67mm |
| 最低工作温度 | - | -55 °C |
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms |
| 最高工作温度 | - | +150 °C |
| 典型接通延迟时间 | - | 9.4 ns |
| 导通电阻Rds(On) | - | 400 m0hms |
| 高度 | - | 4.83mm |
| 类别 | - | 功率 MOSFET |
| 典型关断延迟时间 | - | 39 ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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IRF630NSTRLPBF | STMicro | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SIHF630STL-E3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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SIHF630STRL-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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