MGSF2N02ELT1G 与 FDN335N 区别
| 型号 | MGSF2N02ELT1G | FDN335N |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-MGSF2N02ELT1G | A3-FDN335N-2 |
| 制造商 | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | MOSFET |
| 描述 | N-Channel 20 V 0.07 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 1.25W(Ta) | - |
| 漏源极电压Vds | 20V | - |
| 栅极电压Vgs | ±8V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 2.8A(Ta) | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 150pF @ 5V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.5nC @ 4V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 150pF @ 5V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 85 毫欧 @ 3.6A,4.5V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.5nC @ 4V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 3,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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MGSF2N02ELT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±8V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 85 毫欧 @ 3.6A,4.5V N-Channel 20V 2.8A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta) |
￥0.88
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100,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥1.8974
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19,414 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A |
￥0.6019
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6,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥1.8974
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4,299 | 对比 | ||||||||||||||||
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ZXMN2A01FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 625mW(Ta) ±12V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 20V 1.9A(Ta) |
￥0.8233
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3,289 | 对比 |
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