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MTZJT-779.1B  与  TZX9V1B-TAP  区别

型号 MTZJT-779.1B TZX9V1B-TAP
唯样编号 A3t-MTZJT-779.1B A3t-TZX9V1B-TAP
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 稳压(齐纳)二极管
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 MSD DO-35
反向漏电流Ir - 1uA @ 6.8V
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 9.1V -
功率 1/2W 500mW
工作温度 - -65°C~175°C
偏差 ±3% -
齐纳电压Vz - 9.1V
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 500nA @ 6V -
阻抗(最大值)(Zzt) 20 Ohms -
齐纳阻抗Zzt - 20 Ohms
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MTZJT-779.1B ROHM Semiconductor 未分类

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TZX9V1B-TAP Vishay  数据手册 稳压(齐纳)二极管

1uA @ 6.8V DO-35 500mW -65°C~175°C 9.1V 20 Ohms

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