PMV213SN-02 与 SI2324DS-T1-GE3 区别
| 型号 | PMV213SN-02 | SI2324DS-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-PMV213SN-02 | A-SI2324DS-T1-GE3 |
| 制造商 | Nexperia | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 1.25W(Ta),2.5W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | - | SOT-23 |
| 连续漏极电流Id | - | 1.6A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.9V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 190pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10.4nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 234m Ohms@1.5A,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PMV213SN-02 | Nexperia | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SI2324DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 2.3A(Tc) ±20V 1.25W(Ta),2.5W(Tc) 234m Ohms@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 100V 1.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI2324DS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 2.3A(Tc) ±20V 1.25W(Ta),2.5W(Tc) 234m Ohms@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 100V 1.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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