| 型号 | QSB363ZR | TEMT1000 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-QSB363ZR | A36-TEMT1000-1 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 未分类 | 光电晶体管 | ||
| 描述 | QSB363 Series 30 V 940 nm Subminiature Plastic Silicon Infrared Phototransistor | TEMT1000 Series 880 nm +/-15° 70 V 200 nA 180 kHz NPN Phototransistor | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 检测频谱 | 红外 | - | ||
| 功率 | 3/40W | 1/10W | ||
| 宽度 | 2.2mm | - | ||
| 电流-集电极（Ic）（最大值） | - | 50mA | ||
| Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 30V | - | ||
| 电压-集射极击穿（最大值） | - | 70V | ||
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V | - | ||
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 2mA | - | ||
| 波长 | 940nm | 950nm | ||
| 封装/外壳 | 2.7*2.2*3.0mm | 2-SMD,Z形弯曲d | ||
| 工作温度 | -40°C~85°C(TA) | -40°C~85°C(TA) | ||
| 长度 | 2.7mm | - | ||
| 电流-暗（Id）（最大值） | 100nA | 200nA | ||
| 朝向 | 顶视图 | 顶视图 | ||
| 集电极电流 | 1.5mA | - | ||
| 电流 - 暗（Id）（最大值） | 100nA | - | ||
| Power-Max | 75mW | - | ||
| 通道数目 | 1 Ohms | - | ||
| 视角 | 24° | 30° | ||
| 典型下降时间 | 15µs | - | ||
| 高度 | 3mm | - | ||
| 频谱范围内的灵敏度 | 940 nm | - | ||
| 半感光角度 | 12 ° | - | ||
| 最大暗电流 | 100nA | - | ||
| Current-Collector(Ic)(Max) | 2mA | - | ||
| 针数目 | 2 | - | ||
| 检测到的最大波长 | 940nm | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 146 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
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