SIHF630STRL-GE3 与 IRF630NSTRLPBF 区别
| 型号 | SIHF630STRL-GE3 | IRF630NSTRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHF630STRL-GE3 | A-IRF630NSTRLPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF630STRL-GE3, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装 | Single N-Channel 200 V 82 W 35 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -D2PAK-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 74 W | - |
| 宽度 | 9.65mm | - |
| 引脚数目 | 3 | - |
| 最小栅阈值电压 | 2V | - |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | ±20V |
| 封装/外壳 | 10.67*9.65*4.83mm | TO-263AB |
| 连续漏极电流Id | 9 A | 9.3A |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 长度 | 10.67mm | - |
| 最低工作温度 | -55 °C | - |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - |
| 最高工作温度 | +150 °C | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 导通电阻Rds(On) | 400 m0hms | 300mΩ@5.4A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 575pF @ 25V |
| 高度 | 4.83mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 39 ns | - |
| 功率耗散Pd | - | 82W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | 800 pF @ 25 V | 200V |
| 晶体管材料 | Si | - |
| 晶体管配置 | 单 | - |
| FET类型 | 增强 | N-Channel |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 575pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 35nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | 9.4 ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 35nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHF630STRL-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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IRF630NS(TRL)PBF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRF630NSTRLPBF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRF630NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 82W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 300mΩ@5.4A,10V N-Channel 200V 9.3A TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF630NS(TRL)PBF | STMicro | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRF630NSTRLPBF | STMicro | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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