SIHF9Z34STRL-GE3 与 IRF9Z34NSTRLPBF 区别
| 型号 | SIHF9Z34STRL-GE3 | IRF9Z34NSTRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHF9Z34STRL-GE3 | A-IRF9Z34NSTRLPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | Vishay Si P沟道 MOSFET SIHF9Z34STRL-GE3, 13 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 88W | - |
| 宽度 | 9.65mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 140 m0hms | 100mΩ@10A,10V |
| 引脚数目 | 3 | - |
| 最小栅阈值电压 | 2V | - |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | ±20V |
| 封装/外壳 | 10.67*9.65*4.83mm | D2PAK |
| 连续漏极电流Id | 13 A | 19A |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 长度 | 10.67mm | - |
| 最低工作温度 | -55 °C | - |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - |
| 最高工作温度 | +175 °C | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 620pF @ 25V |
| 高度 | 4.83mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 20 ns | - |
| 漏源极电压Vds | 1100 pF @ -25 V | 55V |
| 晶体管材料 | Si | - |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3.8W(Ta),68W(Tc) |
| 晶体管配置 | 单 | - |
| FET类型 | 增强 | P-Channel |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 620pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 35nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 35nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHF9Z34STRL-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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IRF9Z34NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 100mΩ@10A,10V P-Channel 55V 19A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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