SIHFR120TR-GE3 与 IRFR120NTRPBF 区别
| 型号 | SIHFR120TR-GE3 | IRFR120NTRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHFR120TR-GE3 | A-IRFR120NTRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 48 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | - | TO-252-3 |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C |
| 连续漏极电流Id | - | 9.4A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 210mΩ@5.6A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 48W |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 2,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHFR120TR-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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IRFR120NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 N-Channel 210mΩ@5.6A,10V 48W -55°C~175°C ±20V 100V 9.4A |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
