SIHFU120-GE3 与 IRFU120NPBF 区别
| 型号 | SIHFU120-GE3 | IRFU120NPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHFU120-GE3 | A-IRFU120NPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 48 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-251AA | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 210mΩ@5.6A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 48W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | - | IPAK(TO-251) |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 9.4A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 330pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 3,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHFU120-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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IRFU120NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 210mΩ@5.6A,10V N-Channel 100V 9.4A IPAK(TO-251) |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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