TK100E08N1 与 SUP60030E-GE3 区别
| 型号 | TK100E08N1 | SUP60030E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-TK100E08N1 | A3t-SUP60030E-GE3 |
| 制造商 | Toshiba | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100E08N1, 214 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装 | N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 375W(Tc) |
| 功率 | 255 W | - |
| 宽度 | 4.45mm | - |
| 漏源极电压Vds | 9000 pF @ 40 V | 80V |
| 晶体管材料 | Si | - |
| 晶体管配置 | 单 | - |
| 引脚数目 | 3 | - |
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | - |
| FET类型 | 增强 | N-Channel |
| 封装/外壳 | 10.16*4.45*15.1mm | TO-220-3 |
| 连续漏极电流Id | 214 A | 120A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C |
| 系列 | TK | - |
| 长度 | 10.16mm | - |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - |
| 最高工作温度 | +150 °C | - |
| 典型接通延迟时间 | 53 ns | - |
| 导通电阻Rds(On) | 3.2 m0hms | 3.4 mOhms @ 30A,10V |
| 高度 | 15.1mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 140 ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TK100E08N1 | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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SUP60030E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
120A(Tc) N-Channel 3.4 mOhms @ 30A,10V 375W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 80V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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