2SAR552P5T100 与 2SAR552PHZGT100 区别
| 型号 | 2SAR552P5T100 | 2SAR552PHZGT100 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3x-2SAR552P5T100 | A3-2SAR552PHZGT100 | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||
| 描述 | PNP Middle Power Transistor (-30V / -3A) | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 500mW | 500mW | ||||
| 特征频率fT | 330MHz | 330MHz | ||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||
| 集电极-射极饱和电压 | -400mV | -400mV | ||||
| 封装/外壳 | SOT-89 | SOT-89 | ||||
| VCBO | -30V | -30V | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||
| VEBO | -6V | -6V | ||||
| 集电极连续电流 | -3A | -3A | ||||
| 直流电流增益hFE | 200 | 200 | ||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | -30V | -30V | ||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 5,000 | 1,970 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2SAR552P5T100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 500mW -30V -3A -400mV 200 330MHz PNP |
￥1.3837
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5,000 | 当前型号 | ||||||
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2SAR552PHZGT100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 500mW -30V -3A -400mV 200 330MHz 车规 PNP |
暂无价格 | 1,970 | 对比 | ||||||
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PBSS5330XZ | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 1.6W -30V -3A -320mV 175 100MHz PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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