RV2C002UNT2L
与
SSM3K16CTC,L3F
区别
| 型号 |
RV2C002UNT2L
|
SSM3K16CTC,L3F
|
| 唯样编号 |
A3x-RV2C002UNT2L
|
A36-SSM3K16CTC,L3F
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| 制造商 |
ROHM Semiconductor
|
Toshiba
|
| 供应商 |
唯样自营 |
唯样自营 |
| 分类 |
小信号MOSFET
|
通用MOSFET
|
| 描述 |
|
MOSFET N-CH 20V 200MA CST3C |
| 数据表 |
|
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| RoHs |
无铅/符合RoHs |
无铅/符合RoHs |
| 规格信息 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs |
2Ω@150mA,4.5V |
- |
| 技术 |
- |
MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds |
20V |
20 V |
| Pd-功率耗散(Max) |
100mW(Ta) |
500mW(Ta) |
| 产品状态 |
- |
在售 |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs |
- |
2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) |
- |
12 pF @ 10 V |
| Vgs(th) |
- |
1V @ 1mA |
| 栅极电压Vgs |
±10V |
- |
| FET类型 |
N-Channel |
N-Channel |
| 封装/外壳 |
SC-101,SOT-883 |
CST3C |
| 连续漏极电流Id |
180mA(Ta) |
200mA(Ta) |
| 工作温度 |
150°C(TJ) |
150°C |
| Vgs(最大值) |
- |
±10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） |
1.2V,4.5V |
- |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) |
- |
1.5V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） |
1V @ 100µA |
- |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） |
12pF @ 10V |
- |
| 库存与单价 |
| 库存 |
40,009 |
2 |
| 工厂交货期 |
3 - 5天 |
3 - 15天 |
| 单价（含税） |
|
暂无价格
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| 购买数量 |
|
点击询价
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