BC847BPN,135 与 BC847BPDW1T1G 区别
| 型号 | BC847BPN,135 | BC847BPDW1T1G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | B-BC847BPN,135 | A3-BC847BPDW1T1G |
| 制造商 | Nexperia | ON Semiconductor |
| 供应商 | 富昌电子 | 唯样自营 |
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 45V 0.1A 6TSSOP | BC Series 45 V 100 mA NPN/PNP Silicon Dual General Purpose Transistor - SOT-363 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 300mW | 0.38W |
| 特征频率fT | 100MHz | 100MHz,100MHz |
| 集电极-射极饱和电压 | 300mV | 600mV,-650mV |
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 |
| VCBO | 50V | 50V,-50V |
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C |
| VEBO | 5V | 6V,-6V |
| 尺寸 | 2.1*1.25*0.95 | - |
| 集电极连续电流 | 100mA | 100mA,-100mA |
| 直流电流增益hFE | 200 | 200,200 |
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 45V | 45V,-45V |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN+PNP |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 730,000 | 30,000 |
| 工厂交货期 | 21 - 42天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BC847BPN,135 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 45V 100mA 300mV 200 100MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 730,000 | 当前型号 | ||||||
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BC847BPDW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 0.38W 45V,-45V 100mA,-100mA 600mV,-650mV 200,200 100MHz,100MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 30,000 | 对比 | ||||||
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UMZ1NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 150mA,-150mA 400mV,-500mV 120,120 180MHz,140MHz NPN+PNP |
￥0.1977
|
3,000 | 对比 | ||||||
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BC847BPDW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 0.38W 45V,-45V 100mA,-100mA 600mV,-650mV 200,200 100MHz,100MHz NPN+PNP |
￥0.3926
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1,342 | 对比 | ||||||
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BC847PN-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW 45V,-45V 100mA,-100mA 600mV,-650mV 200,220 100MHz,100MHz NPN+PNP |
￥0.4719
|
661 | 对比 | ||||||
|
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BC847PN-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW 45V,-45V 100mA,-100mA 600mV,-650mV 200,220 100MHz,100MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 40 | 对比 |
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