2SJ668 与 SIHFU9014-GE3 区别
| 型号 | 2SJ668 | SIHFU9014-GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | F-2SJ668 | A3t-SIHFU9014-GE3 | ||
| 制造商 | Toshiba | Vishay | ||
| 供应商 | TME | 唯样自营 | ||
| 分类 | 未分类 | 未分类 | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 封装/外壳 | DPAK | - | ||
| 漏极电流 | -5A | - | ||
| 耗电 | 20W | - | ||
| 栅极-源极电压 | ±20V | - | ||
| 漏极-源极电压 | -60V | - | ||
| 安装 | SMD | - | ||
| 极化 | 单极 | - | ||
| 开启状态电阻 | 120m Ohms | - | ||
| 包装类型 | 胶带 | - | ||
| FET类型 | P-MOSFET | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 42 - 126天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
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