首页 > 商品目录 > > > > 2N7002K-7代替型号比较

2N7002K-7  与  2N7002KT1G  区别

型号 2N7002K-7 2N7002KT1G
唯样编号 M-2N7002K-7 A-2N7002KT1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 海外代购 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 2N7002K Series 60 V 2 Ohm SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.6Ω@500mA,10V
上升时间 3.4ns -
Qg-栅极电荷 0.3nC -
栅极电压Vgs 1V ±20V
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 380mA 320mA(Ta)
配置 Single -
长度 2.9mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V 4.5V,10V
下降时间 9.9ns -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 24.5pF @ 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
高度 1mm -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 370mW(Ta) 350mW(Ta)
典型关闭延迟时间 15.7ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 2N7002 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V 24.5pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.3nC @ 4.5V 0.7nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 3.9ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.7nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
2N7002K-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2.9mm

暂无价格 0 当前型号
2N7002,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

2N7002_SOT-23

¥0.2851 

阶梯数 价格
10: ¥0.2851
100: ¥0.2112
1,000: ¥0.1637
1,500: ¥0.1342
3,000: ¥0.1188
16,359 对比
2N7002P,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

2N7002P_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.2612 

阶梯数 价格
570: ¥0.2612
1,000: ¥0.2025
1,500: ¥0.166
3,000: ¥0.1469
3,000 对比
2N7002KT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 2,423 对比
2N7002KQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
2N7002LT1G ON Semiconductor 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售