FDS3992 与 ZXMN10A08DN8TA 区别
| 型号 | FDS3992 | ZXMN10A08DN8TA | ||||||
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| 唯样编号 | M-FDS3992-0 | A36-ZXMN10A08DN8TA | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 海外代购 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | Dual N-Channel 100 V 62 mOhm PowerTrench Mosfet SOIC-8 | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 1.6A | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.25W | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 250mΩ@3.2A,10V | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 405pF @ 50V | ||||||
| FET类型 | - | 2N-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 7.7nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 4,637 | ||||||
| 工厂交货期 | 42 - 126天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
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