SI4100DY-T1-GE3 与 AO4286 区别
| 型号 | SI4100DY-T1-GE3 | AO4286 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | N-SI4100DY-T1-GE3-1 | A36-AO4286 |
| 制造商 | Vishay | AOS |
| 供应商 | 海外代购 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Si4100DY Series 100 V 6.8 A 63 mOhm Surface Mount N-Channel MOSFET - SO-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 3 |
| Td(off)(ns) | - | 18 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 63 mOhms @ 4.4A,10V | 68mΩ@10V |
| ESD Diode | - | No |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 92mΩ |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),6W(Tc) | 2.5W |
| Qrr(nC) | - | 53 |
| VGS(th) | - | 2.9 |
| Qgd(nC) | - | 1.2 |
| Vgs(th) | 4.5V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| Td(on)(ns) | - | 6 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO-8 |
| 连续漏极电流Id | 6.8A(Tc) | 4A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| Ciss(pF) | - | 390 |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 15 |
| Coss(pF) | - | 30 |
| Qg*(nC) | - | 2.8 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI4100DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6.8A(Tc) N-Channel 63 mOhms @ 4.4A,10V 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO4286 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 100V 20V 4A 2.5W 68mΩ@10V |
￥2.1795
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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AO4286 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 100V 20V 4A 2.5W 68mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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FDS3692 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 60m Ohms@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 4.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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FDS3692 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 60m Ohms@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 100V 4.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IRF7452TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@2.7A,10V N-Channel 100V 4.5A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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