首页 > 商品目录 > > > > SQD50N04-5M6_GE3代替型号比较

SQD50N04-5M6_GE3  与  IPD50N04S4L08ATMA1  区别

型号 SQD50N04-5M6_GE3 IPD50N04S4L08ATMA1
唯样编号 A1-SQD50N04-5M6_GE3 A-IPD50N04S4L08ATMA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 46W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.6mΩ@20A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 71W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2340pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-252-3,DPak,SC-63 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 50A(Tc) -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 17uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7.3 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - +20V,-16V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 40V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 85nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQD50N04-5M6_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak,SC-63

暂无价格 0 当前型号
DMTH4007LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IRFR4104TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IPD050N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD050N03LGATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比
BUK626R2-40C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK626R2-40C_SOT428

¥13.1595 

阶梯数 价格
400: ¥13.1595
1,000: ¥9.7478
1,250: ¥7.6154
2,500: ¥6.2422
0 对比
IPD50N04S4L-08 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD50N04S4L08ATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售