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IDW16G65C5XKSA1  与  PCDP1665G1_T0_00001  区别

型号 IDW16G65C5XKSA1 PCDP1665G1_T0_00001
唯样编号 A-IDW16G65C5XKSA1 A-PCDP1665G1_T0_00001
制造商 Infineon Technologies Panjit
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC肖特基二极管 SiC肖特基二极管
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3 TO-220AC, SIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-247-3 TO-220-2
不同Vr时电流-反向泄漏 200uA @ 650V -
二极管类型 碳化硅肖特基 -
速度 无恢复时间 > 500mA(Io) -
不同If时电压-正向(Vf) 1.7V @ 16A -
工作温度-结 -55°C ~ 175°C -
不同 Vr、F时电容 470pF @ 1V,1MHz -
反向恢复时间(trr) 0ns -
电压-DC反向(Vr)(最大值) 650V -
电流-平均整流(Io) 16A(DC) -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IDW16G65C5XKSA1 Infineon  数据手册 SiC肖特基二极管

IDW16G65C5_null

暂无价格 0 当前型号
IDH16G65C5XKSA1 Infineon  数据手册 SiC肖特基二极管

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暂无价格 0 对比
IDH16G65C5XKSA2 Infineon  数据手册 SiC肖特基二极管

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暂无价格 0 对比
IDW32G65C5BXKSA2 Infineon  数据手册 SiC肖特基二极管

IDW32G65C5B_null

暂无价格 0 对比
IDW16G65C5FKSA1 Infineon  数据手册 SiC肖特基二极管

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暂无价格 0 对比
PCDP1665G1_T0_00001 Panjit  数据手册 SiC肖特基二极管

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