1N5819-T 与 1N5819-E3/54 区别
| 型号 | 1N5819-T | 1N5819-E3/54 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-1N5819-T | A3t-1N5819-E3/54 | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | SBD肖特基二极管 | SBD肖特基二极管 | ||||||||
| 描述 | 1N5819 Series 40 V 1 A Through Hole Schottky Barrier Rectifier - DO-41 | 1N5819 Series 40 V 1 A Through Hole Schottky Barrier Rectifier - DO-204AL | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 反向电压Vr | 40V | 40V | ||||||||
| FET类型 | - | 肖特基 | ||||||||
| 封装/外壳 | DO-41 | - | ||||||||
| 反向漏电流Ir | 1mA | 1mA@40V | ||||||||
| 结电容Cj | 110pF @ 4V,1MHz | 110pF @ 4V,1MHz | ||||||||
| 工作温度 | -65°C~125°C | - | ||||||||
| 反向峰值电压Vrrm | 40V | - | ||||||||
| 正向电压Vf | 600mV | 0.9V@3.1A | ||||||||
| 正向电流If | 1A | 1 A | ||||||||
| 速度 | - | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) | ||||||||
| 正向浪涌电流Ifsm | 25A | 25 A | ||||||||
| 工作温度-结 | - | -65°C ~ 125°C | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 8,657 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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1N5819-T | Diodes Incorporated | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
DO-41 25A 40V 40V 1A 600mV 1mA -65°C~125°C |
￥0.5746
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8,657 | 当前型号 | ||||||||||
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SB150-E3/73 | Vishay | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
50V 650mV 500uA DO-41 -65°C~150°C 1A |
￥0.578
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8,112 | 对比 | ||||||||||
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1N5819-E3/54 | Vishay | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
1mA@40V 1 A 40V 0.9V@3.1A 25 A |
暂无价格 | 50 | 对比 | ||||||||||
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1N5819-E3/54 | Vishay | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
1mA@40V 1 A 40V 0.9V@3.1A 25 A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SB150-E3/54 | Vishay | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
50V 650mV 500uA DO-41 -65°C~150°C 1A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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