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SQS150ELNW-T1_GE3  与  BUK9M3R3-40HX  区别

型号 SQS150ELNW-T1_GE3 BUK9M3R3-40HX
唯样编号 A3t-SQS150ELNW-T1_GE3 A-BUK9M3R3-40HX
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - SOT1210
工作温度 - -55°C~175°C
连续漏极电流Id - 80A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.3mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds - 40V
输入电容 - 2690pF
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 101W
输出电容 - 565pF
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQS150ELNW-T1_GE3 Vishay 未分类

暂无价格 0 当前型号
BUK9M4R3-40HX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

车规

暂无价格 0 对比
BUK9M3R3-40HX Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT1210 N-Channel 3.3mΩ@25A,10V 101W -55°C~175°C ±16V 40V 80A 车规

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