首页 > 商品目录 > > > SQJB04ELP-T1_GE3代替型号比较

SQJB04ELP-T1_GE3  与  BUK9K18-40E,115  区别

型号 SQJB04ELP-T1_GE3 BUK9K18-40E,115
唯样编号 A3t-SQJB04ELP-T1_GE3 A-BUK9K18-40E,115
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 BUK9K18 Series 40 V 19.5 mO Dual N-Channel TrenchMos Logic Level FET- LFPAK-56D
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - SOT1205
功率耗散Pd - 38W
工作温度 - 175°C
连续漏极电流Id - 30A
漏源极电压Vds - 40V
输入电容 - 796pF
导通电阻Rds(On) - 19.5mΩ@5V,16mΩ@10V
输出电容 - 137pF
栅极电压Vgs - 1.7V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 3,150
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
5+ :  ¥9.7547
100+ :  ¥7.2257
750+ :  ¥5.3524
1,500+ :  ¥4.6543
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQJB04ELP-T1_GE3 Vishay 未分类

暂无价格 0 当前型号
BUK9K18-40E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT1205 N-Channel 19.5mΩ@5V,16mΩ@10V 38W 175°C 1.7V 40V 30A

¥2.1304 

阶梯数 价格
1,500: ¥2.1304
3,000: ¥2.0452
300,000 对比
BUK9K18-40E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT1205 N-Channel 19.5mΩ@5V,16mΩ@10V 38W 175°C 1.7V 40V 30A

¥9.7547 

阶梯数 价格
5: ¥9.7547
100: ¥7.2257
750: ¥5.3524
1,500: ¥4.6543
3,150 对比
BUK9K18-40E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT1205 N-Channel 19.5mΩ@5V,16mΩ@10V 38W 175°C 1.7V 40V 30A

¥3.336 

阶梯数 价格
20: ¥3.336
100: ¥2.784
750: ¥2.52
1,465 对比
BUK9K18-40E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT1205 N-Channel 19.5mΩ@5V,16mΩ@10V 38W 175°C 1.7V 40V 30A

¥4.6543 

阶梯数 价格
1,500: ¥4.6543
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售