首页 > 商品目录 > > > SQJ186ELP-T1_GE3代替型号比较

SQJ186ELP-T1_GE3  与  BUK9Y14-80E,115  区别

型号 SQJ186ELP-T1_GE3 BUK9Y14-80E,115
唯样编号 A-SQJ186ELP-T1_GE3 A-BUK9Y14-80E,115
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 - SOT669
工作温度 - -55°C~175°C
连续漏极电流Id - 62A
漏源极电压Vds - 80V
输入电容 - 3479pF
Pd-功率耗散(Max) - 147W
Rds On(max)@Id,Vgs - 14mΩ@15A,10V
输出电容 - 236pF
栅极电压Vgs - ±10V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 50 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQJ186ELP-T1_GE3 Vishay 未分类

暂无价格 50 当前型号
BUK9Y14-80E,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT669 N-Channel 147W -55°C~175°C ±10V 80V 62A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售