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RS6G100BGTB1  与  IRF7469  区别

型号 RS6G100BGTB1 IRF7469
唯样编号 A-RS6G100BGTB1 A-IRF7469
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.4mΩ@90A,10V 17mΩ@9A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 59W 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) SO8
工作温度 -55°C~150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 9A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 4.5V
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥10.1972
100+ :  ¥5.0986
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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1: ¥10.1972
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