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RS6G100BGTB1  与  SIR426DP-T1-GE3  区别

型号 RS6G100BGTB1 SIR426DP-T1-GE3
唯样编号 A-RS6G100BGTB1 A-SIR426DP-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.4mΩ@90A,10V 10.5mΩ@15A,10V
零件号别名 - SIR426DP-GE3
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 59W 4.8W(Ta),41.7W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) SOIC-8
工作温度 -55°C~150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 30A
系列 - SIR
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
长度 - 6.15 mm
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1160pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
高度 - 1.04 mm
库存与单价
库存 100 52
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税)
1+ :  ¥10.1972
100+ :  ¥5.0986
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥10.1972 

阶梯数 价格
1: ¥10.1972
100: ¥5.0986
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