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RS6G100BGTB1  与  SIJA72ADP-T1-GE3  区别

型号 RS6G100BGTB1 SIJA72ADP-T1-GE3
唯样编号 A-RS6G100BGTB1 A-SIJA72ADP-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) PowerPAK® SO-8
工作温度 -55°C~150℃ -55℃~150℃
连续漏极电流Id 100A 27.9A(Ta),96A(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.4mΩ@90A,10V 3.42 mOhms @ 10A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 59W 4.8W(Ta),56.8W(Tc)
Vgs(最大值) - +20V,-16V
Vgs(th) - 2.4V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 100 40
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税)
1+ :  ¥10.1972
100+ :  ¥5.0986
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥10.1972 

阶梯数 价格
1: ¥10.1972
100: ¥5.0986
100 当前型号
IRF7469 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比
IRF7842 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
SI4840BDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SOIC-8

¥4.504 

阶梯数 价格
2,500: ¥4.504
2,500 对比
SIR426DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

6.15mm SOIC-8

暂无价格 52 对比
SIJA72ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

PowerPAK®SO-8

暂无价格 40 对比

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