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RS6G100BGTB1  与  IRF7842  区别

型号 RS6G100BGTB1 IRF7842
唯样编号 A-RS6G100BGTB1 A-IRF7842
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.4mΩ@90A,10V 5.9mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.5W
漏源极电压Vds 40V 40V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 59W -
栅极电压Vgs ±20V 20V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 10.0nC
封装/外壳 HSOP8 (Single) SO-8
Mounting - SMD
工作温度 -55°C~150℃ -
连续漏极电流Id 100A 14A
QG - 33.0nC
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.54
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥10.1972
100+ :  ¥5.0986
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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