首页 > 商品目录 > > > > RS6G100BGTB1代替型号比较

RS6G100BGTB1  与  SI4840BDY-T1-GE3  区别

型号 RS6G100BGTB1 SI4840BDY-T1-GE3
唯样编号 A-RS6G100BGTB1 A-SI4840BDY-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET N-Channel 40 V 0.009 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.4mΩ@90A,10V 9mΩ
漏源极电压Vds 40V 3V
Pd-功率耗散(Max) 59W 2.5W(Ta),6W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) SOIC-8
工作温度 -55°C~150℃ -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 19A
系列 - SI4
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 50nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 100 2,500
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税)
1+ :  ¥10.1972
100+ :  ¥5.0986
2,500+ :  ¥4.504
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥10.1972 

阶梯数 价格
1: ¥10.1972
100: ¥5.0986
100 当前型号
IRF7469 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比
IRF7842 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
SI4840BDY-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SOIC-8

¥4.504 

阶梯数 价格
2,500: ¥4.504
2,500 对比
SIR426DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

6.15mm SOIC-8

暂无价格 52 对比
SIJA72ADP-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

PowerPAK®SO-8

暂无价格 40 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售