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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 250mA | |
| 功率耗散Pd | 150mW | |
| 导通电阻Rds(On) | 2.4Ω@250mA,10V | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 上升时间 | 5ns | |
| 下降时间 | 28ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 18ns | |
| 典型接通延迟时间 | 3.5ns | |
| 封装/外壳 | SOT-563-6 | |
| 系列 | EM6K31 | |
| 通道数量 | 2Channel | |
| 配置 | Dual | |
| FET类型 | 2N-Channel | |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
| 1 + | ￥5.0174 |
| 100 + | ￥2.9001 |
| 1,000 + | ￥1.8386 |
| 4,000 + | ￥1.2466 |
整包（请按8000的倍数下单） |
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| 8,000 + | ￥0.9013 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：8,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
3天-5天
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| 起订量： 1 | 倍数：1 |
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LBSS84LT1G | 600,000 |
| LMN2500N3T5G | 50,000 |
| L2N7002KN3T5G | 50,000 |
| PMV130ENEAR | 27,000 |
| LBSS8402DW1T1G | 15,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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EM6K31T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
250mA 150mW 2.4Ω@250mA,10V 60V ±20V SOT-563-6 2N-Channel -55°C~150°C |
￥5.0174
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78 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMN601VK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-563 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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2N7002PV,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT666 N-Channel 2000mΩ@5V,1600mΩ@10V 0.5W 150°C 20V,1.75V 60V 0.35A |
暂无价格 | 845 | 对比 | ||||||||||||
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2N7002PV,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT666 N-Channel 2000mΩ@5V,1600mΩ@10V 0.5W 150°C 20V,1.75V 60V 0.35A |
￥0.6345
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0 | 对比 | ||||||||||||
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2N7002BKV,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT666 N-Channel 1600mΩ@10V,2000mΩ@5V 0.525W 150°C 1.6V 60V 0.34A |
￥0.8281
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0 | 对比 | ||||||||||||
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DMN601VK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-563 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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